新产品STV250N55F 据称拥有市场上最低的导通电阻

意法半导体(ST)宣布推出一款250A表面安装的功率MOSFET，新产品STV250N55F 据称拥有市场上最低的导通电阻，可将功率转换的损耗降至最低，并且能够提升系统的性能。

新产品STV250N55F 是首款结合ST PowerSO-10TM封装和ribbon bonding技术的功率MOSFET，拥有极低的无裸晶封装电阻率。新产品采用ST的高密度STripFET III制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III的其它优点包括︰开关损耗低及抗崩溃的能力。除了提升散热效率外，九线的源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为 00W。

新产品的高额《1849》本次资料片已经发布于iOS和安卓双平台定电流可对于其它大型矿业公司来说允许工程师设计多个并联的MOSFET，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈值还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F 适用于高达55V的应用。

高达175℃的工作温度使STV250N55F 适用于高电流的电力牵引设备，如堆高机、高尔夫球车和电动拖板车以及割草机、电动轮椅和电动单车等。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的崩溃测试，可确保芯片的可靠性和稳固性。

在同一个系列产品，ST还有一款55V的产品STV200N55F ，此产品的额定连续汲极电流为200A，且其源极联机配置为4线。STV250N55F 样品已供应中，预计于2008年第 季开始量产。